扬州大学等申请GaN器件在HTGB条件下跨尺度热力仿真方法专利，实现对整体器件在高温栅偏条件下的全面温度和应力分布分析

抖音热门 2025年08月02日 18:42 0 aa

金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，扬州大学、北京卫星制造厂有限公司、北京大学申请一项名为“一种GaN器件在HTGB条件下跨尺度的热力仿真方法”的专利，公开号CN120409086A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本申请提供了一种GaN器件在HTGB条件下跨尺度的热力仿真方法，其技术要点是利用COMSOL仿真软件在HTGB条件下微观到宏观的综合仿真分析方法，首先对单个元胞结构在高温栅偏条件下进行热分布和应力分布的仿真，以获得微观层面的详细信息。其次通过对单个元胞的分析结果进行外推，将多个个元胞作为整体热源加载到器件级仿真中，从而实现对整体器件在高温栅偏条件下的全面温度和应力分布分析。

本文源自金融界