安泰非晶申请高磁导率纳米晶带材热处理工艺窗口拓宽方法专利，拓宽热处理温度区间

今日快讯 2025年08月06日 18:49 0 admin

金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，安泰非晶科技有限责任公司申请一项名为“一种高磁导率纳米晶带材的热处理工艺窗口拓宽方法”的专利，公开号CN120425134A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明涉及磁性材料制备与热处理技术领域，具体为一种高磁导率纳米晶带材的热处理工艺窗口拓宽方法，通过梯度成分设计与脉冲磁场耦合热处理，使带材初始磁导率超22万且热处理温度区间拓宽至400℃‑600℃；合金成分为Fe73.5%，Cu1%，Nb3%，Si13.5%，B8.5%，Co0.5%，热处理时先以15℃/min升温至450℃施加0.8T脉冲磁场保温，再升温至550℃保温，晶化生成α‑Fe(Si)纳米晶与Co‑B非晶界面相，Co以固溶体形式分布。本方法拓宽热处理温度区间，提升带材初始磁导率，改善韧性满足自动化生产，利用现有设备降低成本；制备的带材磁导率高、稳定性好，适用于多种场景，经济效益和社会效益良好。

天眼查资料显示，安泰非晶科技有限责任公司，成立于2011年，位于北京市，是一家以从事黑色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本51000万人民币。通过天眼查大数据分析，安泰非晶科技有限责任公司参与招投标项目339次，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自金融界