先进封装变天！27家芯片企业联盟攻坚，中企弯道超车机会来了！

抖音热门 2025年10月03日 15:45 0 aa

现在AI芯片的功耗真是越来越夸张了，英伟达H100都已经飙到700瓦，听说下一代Rubin处理器还要突破1000瓦。

这么大的热量，以前常用的硅中介层根本扛不住，散热跟不上，芯片性能就得降频，寿命也受影响。

也正是因为这个原因，先进封装里的中介层，最近正在悄悄变天。

中介层不是“小电路板”，主流技术各有看家本领

可能有人觉得中介层就是块简单的转接板，其实，这想法太浅了。

它其实是先进封装的“枢纽”，负责把不同芯片连起来，还要保证信号传得快、损耗少。

再布线层（RDL）是它的核心部分，要么靠硅这种载体装进去，要么直接单独用，在FoWLP、CoWoS这些封装技术里都离不开它。

现在主流的2.5D封装，几家大厂的技术路线差别还挺大。

台积电的CoWoS是最早落地的，2012年就给赛灵思的Virtex-7 FPGA用了，现在已经发展出好几种类型，比如用硅当中介层的CoWoS-S，用RDL的CoWoS-R。

我本来想这种技术应该够撑几年，后来发现它也有麻烦，大尺寸的时候成本太高，良率还难控制。

英特尔的EMIB就另辟蹊径，不用大硅中介层，而是用小的桥接芯片连接。

这种方式成本低一些，但集成度有限，适合对性能要求没那么极致的场景。

三星的I-Cube更像是对标台积电，分了I-CubeS和I-CubeE，前者用硅中介层，后者靠嵌入式硅桥，去年还在Exynos 2400上小范围试了试。

其实，这些技术没有绝对的好坏，全看应用场景。

高端AI芯片要高性能，就选CoWoS；中低端的想控成本，EMIB或者I-Cube可能更合适。

但不管选哪种，中介层的作用都越来越重要，以前它只是封装里的“配角”，现在已经成了决定芯片性能的“主角”之一。

硅中介层不够用，新材料们开始“抢饭碗”

硅中介层虽然成熟，但毛病也不少。

除了前面说的散热问题，成本也是个大麻烦，12英寸的硅中介层一片就要两千多美元，也就英伟达、AMD这些做高端AI芯片的用得起。

而且高频的时候，信号容易串扰，可靠性会下降。

既然硅中介层撑不住，行业自然要找替代品。

有机中介层是最先冒出来的，2010年代中期就跟着Fan-Out封装起来了。

它用面板级生产，产能利用率高，成本比硅中介层低很多，大概能降60%。

不过它的布线精度不够，线宽线距比较大，只能满足中低端需求，比如谷歌的TPU v5e就用的这个。

玻璃中介层是三星押注的方向，计划2028年用它替代硅中介层。

它有个很厉害的本事，能支持3D堆叠，把不同芯片叠着放，这是硅中介层做不到的。

测试数据显示，它比硅中介层的面积能优化2倍多，线长缩短20多倍，功耗也降了不少。

但有个小问题，工作时温度会升高15%，后续还得解决散热。

最让人期待的还是碳化硅（SiC）中介层，2025年刚冒头就成了焦点。

它的热导率是硅的3倍多，能把H100的温度从95℃降到75℃，散热成本直接省30%。

而且它的热膨胀系数和芯片很配，不容易因为温度变化出问题。

台积电已经联合日本DISCO开发专门的切割设备，目标2027年量产，英伟达的下一代处理器也确定要用它。

搞不清的人可能觉得选材料就是看性能，其实不是。

高端AI芯片选SiC，看重的是散热和速度；中低端的选有机或者玻璃，图的是成本和灵活度；军工航天那些特殊领域，才会用陶瓷中介层，虽然它性能好，但加工慢、成本高，没法大规模生产。

如此看来，未来中介层材料肯定是“分场景说话”的局面。

现在全球大厂都在中介层上发力，三星盯玻璃，台积电硅和SiC双管齐下，英伟达推着SiC往前走，还有27家企业组成的Resonac联盟在搞有机中介层。

很显然，这不是简单的技术升级，而是半导体行业从“比制程”转向“比封装”的信号。

短期来看，硅中介层还能占主导，但2027年之后，SiC和玻璃肯定会快速抢占市场。

对国内企业来说，这是个机会，要是能在SiC材料、玻璃加工设备这些环节突破，说不定能在先进封装领域实现弯道超车。

毕竟中介层的变化才刚开始，谁能抓住这次机会，谁就能在接下来的竞争里占个好位置。

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