南亚科技申请接触结构及其半导体元件专利，提供一种单元接触结构及其半导体元件

抖音热门 2025年08月13日 14:33 0 admin

金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“接触结构及其半导体元件”的专利，公开号CN120475712A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，本公开提供一种单元接触结构及其半导体元件。该单元接触结构包括：一底部接触层，位于一基板上并被多个位元线结构和多个分隔层包围；一衬层，位于该底部接触层与该基板之间、该底部接触层与多个位元线结构之间、和该底部接触层与多个分隔层之间；以及一顶部接触层，位于该底部接触层与该衬层之间。该底部接触层的一顶表面和该衬层的一顶表面实质上共平面。该衬层包括经掺杂的多晶硅、经掺杂的多晶锗、或经掺杂的多晶硅锗。该底部接触层包括钨、钛、或氮化钛。

本文源自金融界