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让中国光刻机变成废铁?被批傲慢的日本下狠手,借势美国遏华

十大品牌 2025年10月31日 08:02 0 admin

近年来,在全球半导体产业竞争日益激烈的背景下,日本在对华出口管制方面的举措尤为引人关注。

自2023年起,日本政府逐步强化对华半导体制造设备及关键材料的出口限制,并通过政策干预与资本运作深度介入产业链核心环节,尤其在光刻胶等关键材料领域,对中国高端芯片制造能力构成实质性挑战。

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从限制关键设备出口到强化技术管控,日本试图借势美国对华遏制战略,在高端光刻机技术上对中国形成封锁,其手段之强硬、态度之傲慢,被国际舆论批评为“将商业竞争政治化”。

光刻机关键部件的出口管制

2023年,日本经济产业省宣布修订《外汇及外国贸易法》相关附则,将23种半导体制造设备纳入出口管制清单,其中涉及光刻机的核心部件尤为敏感。

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此次管制对象包括极紫外光刻机(EUV)用光源系统、深紫外光刻机(DUV)的浸没式光刻模块,以及用于先进制程的光刻胶材料。

这些部件是光刻机实现高精度芯片制造的关键,日本企业如尼康(Nikon)、东京电子(Tokyo Electron)和信越化学(Shin-Etsu Chemical)在全球市场占据主导地位。

以EUV光刻机为例,其光源系统由日本吉田精机(Yoshida Seiki)与荷兰ASML合作开发,但日本掌握核心专利。

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根据新规,任何向中国出口此类设备的申请均需逐案审查,审批周期可能延长至6个月以上,而此前,日本对同类设备的出口仅需备案,流程相对简便。

这一转变被视为日本配合美国“芯片法案”的重要举措,美国曾多次施压盟友限制对华半导体技术出口,日本此次管制范围与美国2022年出台的《芯片与科学法案》中“敏感技术清单”高度重合。

日本政府的解释是“防止技术用于军事目的”,但国际媒体指出,其管制力度远超常规安全审查。

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用于14纳米及以上成熟制程的DUV光刻机部件虽未被完全禁止,但日本要求出口商提供最终用户承诺书,明确设备不得用于“军事相关实体”,这种“模糊界定”为日本留下了灵活操作的空间,也增加了中国企业的合规成本。

尼康与东京电子的“被动配合”

日本企业的态度成为观察这场博弈的重要窗口,作为全球第三大光刻机制造商,尼康近年来在EUV领域被ASML甩开身位,但其DUV光刻机仍在中国市场占据一定份额。

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2023年第二季度,尼康光刻机业务营收中,中国市场占比达28%,较2022年同期增长12个百分点,然而面对政府的出口管制,尼康不得不调整策略。

2023年8月,尼康宣布暂停向中国出口用于7纳米及以下制程的浸没式DUV光刻机,仅保留干式DUV设备的供应。这一决定直接导致其第三季度在华订单量环比下降34%。

与此同时,尼康加速在印度、东南亚市场的布局,试图分散对华依赖,但印度半导体产业尚处起步阶段,短期内难以消化尼康的产能转移,企业因此面临“两头承压”的困境。

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东京电子的情况类似,作为全球最大的半导体设备综合供应商,其涂胶显影设备(Coater/Developer)与光刻机配套使用,在中国市场占有率超过50%。

2023年,东京电子因出口管制被迫推迟向中芯国际交付一批用于28纳米制程的涂胶设备,导致中芯国际相关产线建设延期3个月。

尽管东京电子强调“遵守国际规则”,但其财报显示,2023年对华销售额同比下降19%,成为全球主要市场中表现最差的区域。

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光刻胶“断供”风险

日本在光刻胶领域的垄断地位,使其成为对华技术封锁的另一把“利刃”,光刻胶是光刻工艺中转移图形的关键材料,其质量直接影响芯片良率。

日本信越化学、JSR、富士电子材料三家企业控制了全球80%以上的高端光刻胶市场,其中EUV光刻胶几乎由日本独家供应。

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2023年6月,信越化学以“原材料供应不稳定”为由,暂停向部分中国芯片企业供应KrF(深紫外)光刻胶,尽管未明确指向特定客户,但中芯国际、华虹半导体等企业均表示收到供应调整通知。

与此同时,JSR宣布将EUV光刻胶对华出口审批时间从45天延长至90天,并要求客户签署“最终用途不涉及军事”的额外承诺书。

面对供应风险,中国加快了光刻胶国产化进程,2023年,南大光电研发的ArF(193纳米)光刻胶通过中芯国际14纳米工艺验证,成为首款国产高端光刻胶,晶瑞电材的KrF光刻胶也实现批量供货。

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但业内人士指出,国产光刻胶在分辨率、金属杂质控制等指标上仍与日本产品存在差距,短期内难以完全替代。

据市场研究机构TECHCET统计,2023年中国自产光刻胶仅能满足国内需求的15%,高端领域依赖度仍超过90%。

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封锁背后的产业链重构

日本的对华技术限制,正在推动全球半导体产业链的进一步分化,一方面,美国、日本、荷兰组成“芯片联盟”,试图构建排除中国的技术生态。

2023年7月,三国官员在华盛顿举行秘密会议,协调对华出口管制政策,重点包括限制EUV光刻机维修服务、禁止技术人员参与中国芯片项目等。

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荷兰ASML虽未公开表态,但其对华EUV光刻机出口已停滞多年,DUV设备出口也需向荷兰政府申请许可。

另一方面,中国通过“补链强链”加速自主可控,2023年,中国半导体设备国产化率从2022年的25%提升至35%,其中去胶设备、清洗设备等环节国产化率超过60%。

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国家大基金二期加大对光刻机、光刻胶等“卡脖子”领域的投资,上海微电子装备(SMEE)的28纳米DUV光刻机研发进入最后冲刺阶段,预计2024年交付样机。

尽管当前中国光刻胶整体自给率仍处于10%-20%的水平,但ArF胶的国产化进程已明显加速,业内普遍预期2025至2026年将迎来自给率的显著跃升。

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在反制层面,中国也展现出战略定力,2025年10月,商务部发布双用物项出口管制公告,对稀土、关键电池材料等实施限制,精准打击日本在新能源与半导体制造中的供应链软肋。

中日半导体产业长期互依互存,日本企业约一半的半导体设备出口流向中国,JSR、信越化学等巨头高度依赖中国市场。

而一旦中国收紧关键原材料出口,日本相关企业将面临营收下滑与产能闲置的双重压力,现在已有日本化学企业主管公开表示,因中国订单减少,季度营收下滑30%,公司不得不考虑裁员。

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结语

事实上,中日之间的技术博弈已从单向压制转向战略对峙,日本试图通过“精准卡脖”延缓中国技术进步,但其举措也正在加速中国自主创新的步伐。

当前,中国半导体产业正处于“逆风攻坚”的关键阶段,光刻机不会因外部封锁而停转,国产光刻胶也已从实验室走向产线。

尽管在EUV等最前沿领域仍面临巨大挑战,但技术进步的本质是积累与迭代,而日本的管制固然带来短期阵痛,却难以阻挡长期发展趋势。

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信源:

《借势美国遏华,日本半导体想卷土重来》——环球时报——https://baijiahao.baidu.com/s?id=1780316371978841633&wfr=spider&for=pc

《日本拟实施半导体等多项出口管制,商务部回应》——新京报——https://baijiahao.baidu.com/s?id=1822760176535828470&wfr=spider&for=pc

《中国拿到论文也造不出EUV?日本光刻胶巨头JSR被批“傲慢”》——观察者网——https://baijiahao.baidu.com/s?id=1733601194422956275&wfr=spider&for=pc

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