南京中电芯谷申请层转移异质集成方法专利，提高芯片器件层的键合效果

抖音热门 2025年11月02日 01:49 9 aa

金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司申请一项名为“一种层转移异质集成方法”的专利，公开号CN120376497A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请涉及一种层转移异质集成方法，其涉及半导体工艺技术领域，其包括如下步骤：S1旋涂PMMA于分立芯片表面形成保护剂层；S2去除保护剂层的第一部位；S3旋涂PI于第二部位的表面形成保护支撑层；S4旋涂粘附剂于支撑载片正面形成粘接层；S5键合粘接层与保护支撑层；S6去除第一衬底与芯片自停止层；S7旋涂永久键合材料形成键合层；S8键合键合层与第二衬底；S9去除支撑载片、粘接层、保护支撑层、第二部位。本申请通过保护支撑层的热稳定性高于保护剂层的热稳定性，使得键合压力更加均匀传递到芯片器件层上，进而提高导致芯片器件层的键合效果。

天眼查资料显示，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1330万人民币。通过天眼查大数据分析，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可9个。

本文源自金融界