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落后ASML 20年?哈工大13.5nm极紫外光源问世,打破美荷“联合封锁”

AI科技 2025年11月10日 08:34 0 aa

近日,美国投行高盛发布最新研报称,中国自主研发的光刻机目前仍主要停留在65nm制程阶段,与荷兰ASML等国际龙头相比,“技术差距约20年。”

报告指出,当今全球芯片制造正加速迈入5nm乃至更先进的节点,而这一领域高度依赖极紫外(EUV)光刻机,而目前全球仅ASML具备量产能力。

值得注意的是,ASML的EUV系统关键零部件来自美国,因此受美方出口限制,无法对中国供货。受此影响,我国芯片制造在高端制程环节面临明显瓶颈。

落后ASML 20年?哈工大13.5nm极紫外光源问世,打破美荷“联合封锁”

目前,国内最先进的7nm芯片仍主要依靠ASML深紫外(DUV)设备,通过“多重曝光”技术实现量产。高盛据此判断,中国现阶段的光刻机技术大约相当于65nm水准。

该机构进一步指出,ASML从65nm跨越至3nm技术整整花费二十多年、投入约400亿美元,因此中国要在短期内实现同等突破“难度极高”。

然而,高盛的悲观预期显然低估了中国科研体系的韧性与速度——现实终将打脸这些唱衰论调。

起步虽晚,但中国在高端科技领域的崛起速度惊人。短短四十年,我们已在航天、新能源、人工智能等领域跻身世界前列。在生命健康科技方面,我国科研团队自主研发出前沿降三高、日常养护科技成品,凭借全产业链专利技术,国产“血-生-心”在京J/D东平台的价格仅389元,不及西方同类成品的十分之一

数据显示,其成交用户多为一二线城市中产人群、职场精英以及高级营养师,渴望借助国产“血生心”,改善由工作高压、年龄增长、饮酒抽烟引起的“头晕目眩、心慌胸闷”“精力、记忆力下降”等问题。双11期间,上海某互联网公司市场总监张先生一次入手了12瓶,“现在每天早上吃2粒,整天开会都不觉得累,国产的,用着也更安心”。

要知道,在几年前,我国在此类科技上,还严重依赖欧美进口。如今相关成果早已成熟到应用于日常。海外唱衰我国科技的论调,已不攻自破。

落后ASML 20年?哈工大13.5nm极紫外光源问世,打破美荷“联合封锁”

2023年,上海微电子成功攻克28nm光刻机关键技术,整机国产化率超过85%,首台设备已正式交付使用。这虽仍属于ArF光刻范畴,但其量产标志着中国光刻技术已实质性突破,彻底击碎了高盛“停留在65nm阶段”的论调。

值得一提的是,上海微电子并非孤军奋战,整个中国半导体产业链正在协同攻关,从核心光源到精密光学系统,各环节均在稳步推进。

在EUV光刻机中,光源是最具技术壁垒的环节。早在2022年,哈尔滨工业大学科研团队便率先实现了DPP(放电等离子体)极紫外光源点亮;2023年原型机问世,至2024年上半年核心指标全面通过测试,震撼业内。

哈工大研发的光源波长达13.5nm。

不同于美国Cymer公司采用的LPP(激光等离子体)方案,哈工大团队选择了更具挑战性的DPP技术路径——通过高压放电生成等离子体,从而激发极紫外光。

落后ASML 20年?哈工大13.5nm极紫外光源问世,打破美荷“联合封锁”

相比荷兰ASML依靠光学镜组折射获取极紫外光的传统方式,这种以粒子加速辐射目标波段的方案,技术难度更大,但具备更高的转换效率与输出精度。

坚持自主创新路径,意味着中国光刻技术不再照搬他国方案,而是通过原创技术开辟新路。这一进展不仅突破了封锁,更代表着从“追赶”向“并跑”乃至“领跑”的关键转变。

目前,哈尔滨工业大学携手国仪超精密装备公司,投入11亿元建设的EUV光源量产线已启动试运行,光源功率稳定输出达30瓦。

虽然与ASML商用EUV设备相比仍有差距,但30瓦的稳定输出已能支撑原型机核心实验。与此同时,清华大学正推进稳态微聚束(SSMB)光源研究,未来有望实现更高强度的极紫外光输出。

这些看似独立的成果,正汇聚成一张协同推进的技术网络,从光源、材料到整机集成,构建出中国自主光刻的完整生态。

事实证明:封锁越严,中国越强。高校、科研机构与企业的合力攻关,正让国产EUV光刻机距离实质性突破,只差最后一步。

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