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国奥科技ZT双轴精密转台:以自主核心技术比肩全球Top标准

抖音热门 2025年10月15日 16:48 1 aa
国奥科技ZT双轴精密转台:以自主核心技术比肩全球Top标准

同轴双自由度集成、纳米级精度、全气浮无摩擦 —— 国奥科技自主研发的ZT双轴精密转台(GAS-ZT-10-120)正式发布,打破国际巨头对高端精密运动部件的垄断,为半导体及高精密制造领域提供 “自主可控” 的高端国产化解决方案。

01

核心技术架构:单动子双自由度+全气浮,根除精度损耗

GAS-ZT-10-120 搭载国奥科技自研的单动子双自由度电机解耦技术,实现单个动子同步输出直线(Z轴)与旋转(T轴)运动,双磁场无耦合干扰;配合全气浮轴承设计,替代传统机械接触,彻底消除多轴同步控制带来的精度丢失和累积误差,达成Z轴升降与T轴旋转的纳米级联动控制。

国奥科技ZT双轴精密转台:以自主核心技术比肩全球Top标准

核心技术特性

❏ 单动子直线+旋转双轴复合运动;

❏ 双轴纳米级精度;

❏ 全气浮设计,全域无摩擦、零磨损;

❏ 高刚性结构,抗倾覆能力强;

❏ 模块化扩展,支持XYZT多轴联动;

❏ 紧凑设计集成大推力、大转距、高负载;

❏ 符合ISO 14644-1 Class 5以上半导体洁净室标准;

02

双轴性能:纳米级精度+高动态响应

Z轴(直线定位)

❏ 全气浮:无齿槽干扰,运行平滑;

❏ 气动平衡系统:有效防止电机过热并有效避免冲击;

❏ 高分辨率光栅编码器:确保纳米级定位与重复位置精度;

T轴(旋转分度)

❏ 360°连续旋转:全气浮无间隙、零空回;

❏ 直驱力矩电机:最大加速度达100rad/s²,毫秒级快速响应;

❏ 低扰动设计:保障精度稳定性、提升工艺良率;

国奥科技ZT双轴精密转台:以自主核心技术比肩全球Top标准

T轴重复定位精度:±2.65 arcsec ≈ ±0.00074°

国奥科技ZT双轴精密转台:以自主核心技术比肩全球Top标准

T轴重复定位精度数据监测

✦✦✦温馨提示

arcsec = arc second = 角秒,是一种角度单位。

1 度 (°) = 60 分 (arcmin)

1 分 (arcmin) = 60 秒 (arcsec)

所以 1 arcsec = 1/3600 度 = 0.0002777… 度

SO...

±2.65 arcsec ≈ ±0.00074°(不到一千分之一度)

03

关键性能指标:比肩全球顶尖标准

国奥科技ZT双轴精密转台:以自主核心技术比肩全球Top标准

国奥科技ZT双轴精密转台:以自主核心技术比肩全球Top标准

04

核心应用场景:覆盖高精密制造关键环节

国奥科技ZT双轴精密转台:以自主核心技术比肩全球Top标准

05

客户技术支撑:全链路保障高精密应用

定制化运动解决方案

基于客户工艺拆解运动参数(如精度、加速度、负载等),输出从控制算法到硬件集成的专业定制方案。

全生命周期技术保障

覆盖安装调试 - 运维 - 升级迭代,专属技术团队响应时效<6小时,确保设备长期稳定运行。

半导体级洁净适配

从材质选型到结构设计,确保设备在严苛洁净场景下合规运行、无二次污染。

END

国奥科技ZT双轴精密转台:以自主核心技术比肩全球Top标准

国奥科技电机技术优势:

可编程高精力控,降低损耗

国奥直线旋转电机带有“软着陆”功能,可实现±1g以内的稳定力度控制,支持速度、加速度及力度控制的程序化设定,使贴装头能够以非常精准的压力触碰芯片表面,降低损耗;

采用中空Z轴设计,预留气管接口,真空吸取、即插即用,并可根据元件结构及特性提供定制化服务。

高精度对位、贴片,保证良率

微米级位置反馈,获取精准数据,±0.01N力控精度,±2μm直线重复定位精度,±0.01°旋转重复定位精度,径向偏摆±1μm,编码器分辨率标准1μm,可在高速运行状态下仍稳定输出,提升良率及可靠性。

“Z+R”轴集成设计,提升速度

创新性的双轴集成化解决方案,将传统“伺服马达+滚珠丝杆”合二为一,解决了Z轴自重负载问题,高速、精准完成元件Pick & Place,贴装等动作,推力曲线平滑,峰值推力8-500N,有效行程10-55mm ,超高循环寿命,实现高效生产。

体积小,重量轻,可电机组合排列

直线旋转电机LRS1025重量仅420g,轻巧的机身重量大大减轻了设备高速运动中负载带来的影响。电机最小厚度仅为10mm,在设备有限的内部空间中可以并排安装多组电机,减少芯片贴装往复运动过程,提升设备贴装效率。

提供“电机+驱动一体化”设计方案

直线电机LAA4510采用“电机+驱动一体化”设计,其系统结构紧凑,电机传动效率更高,可满足先进封装技术对半导体测试分选设备的高速度、高精度、高效率的应用需求。

SiC银烧结、热压键合多种加热方案

国奥科技针对SiC银烧结工艺、热压键合TCB工艺研发了LRHS9440一体式ZR加热方案,以及全新双段式Z轴设计、小体积大推力ZR电机LRHS5040加热方案;具有精准温控、灵活均匀压力,以及卓越的Z+R运动控制精度等优势,能满足不同芯片元件需求,消除工艺过程中出现曲翘、倾斜、开裂等问题的风险。

提供“ZT双轴精密转台”等创新方案

采用自主研发的单动子双自由度电机解耦技术,可实现单个动子同步输出直线(Z轴)与旋转(T轴)运动,双磁场无耦合干扰;全气浮,纳米级精度,比肩全球Top标准;单动子直线+旋转双轴复合运动;可应用在光学耦合、晶圆缺陷检测、晶圆膜厚检测等场景。

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