福芯电子等申请一种基于GaN HEMT的大电流均衡BMS模组及控制方法专利，可实现大电流均衡的同时确保压差精度

今日快讯 2025年10月22日 11:45 8 aa

金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，福建省福芯电子科技有限公司、福建省电子信息应用技术研究院有限公司申请一项名为“一种基于GaN HEMT的大电流均衡BMS模组及控制方法”的专利，公开号CN120357576A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于GaN HEMT的大电流均衡BMS模组及控制方法，所述BMS模组包括供电单元、模拟前端、微控制单元、主动均衡单元、被动均衡单元、GaN驱动单元、开关阵列、电流采样单元、温度采集单元及第一通信单元。其中开关阵列包括若干并联设置且规格相同的双向导通GaN HEMT，响应驱动信号切换电池组的充电、放电及保护状态，所述GaN HEMT的门极驱动端均连接GaN驱动单元的驱动信号，对称导通端的一端连接负载或充电器，另一端连接电池组负极；主动均衡单元以2n个匝数相等的绕制在同一个磁芯上多绕组变压器为核心，配合2n个MOSFET及其驱动电路构成的多路并行同步主动均衡模块。

天眼查资料显示，福建省福芯电子科技有限公司，成立于2014年，位于福州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省福芯电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可4个。

福建省电子信息应用技术研究院有限公司，成立于2013年，位于福州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省电子信息应用技术研究院有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目115次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息6条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自金融界