哈尔滨工业大学突破的不是光刻机技术，外媒：中芯国际“赢麻”了

十大品牌 2025年11月04日 18:45 0 aa

在半导体领域，中国科研力量正稳步推进自主创新路径，以应对国际技术壁垒。哈尔滨工业大学团队专注极紫外光源研究多年，这种部件作为芯片制造的核心环节，直接影响曝光精度。

团队采用放电等离子体技术，通过高压放电激发锡蒸气产生13.5纳米波长光波，与国际主流激光产生等离子体路径不同，前者简化了设备结构，降低了能耗需求。

早在2022年，初步样机验证了光波输出，2023年原型机功率达120瓦，2024年通过稳定性测试，碎片污染率控制在0.5%以下。

2025年，这一技术与长春光学精密机械研究所反射镜系统结合，波前畸变精度提升至头发丝直径的五十分之一，推动整体设备向试生产阶段过渡。

外媒报道指出，这种进展标志中国在绕过专利限制上取得实质步骤，中芯国际作为本土芯片巨头，将从中获益显著。

放电等离子体方案的核心在于其高效能量转换，效率比传统路径高出15%，设备体积缩小三分之一，便于工厂部署。

团队从基础物理模拟入手，优化气体成分和放电频率，样机阶段光谱纯度已达95%，原型迭代中升至98%。

与国外依赖高功率激光打锡滴的方法相比，中国路径避免了复杂维护需求，成本仅为其一半左右。这种选择源于外部封锁压力，促使研究转向本土化解决方案。

2025年上半年，华为东莞设施开始测试整合系统，采用激光诱导放电等离子体变体，进一步精简液滴发生器。

试验数据显示，光束聚焦误差降至0.1纳米级，系统稳定性提高25%。中芯国际已实现14纳米量产，基于自主低功耗平台吸引国际订单，7纳米芯片通过深紫外多层曝光生产，良率稳定在70%以上。外媒分析，一旦国产光源成熟，中芯国际可加速5纳米制程优化，减少对进口设备的依赖。

技术细节上，放电等离子体通过电极间高压激发锡蒸气，形成电子离子碰撞产生所需波长。这种机制与激光产生等离子体对比，前者能量利用率达18%，后者需额外控制系统维持稳定性。

中国团队引入磁场偏转降低碎片污染，2024年优化后残留率降80%。长春研究所镜面涂层匹配光源波长，反射效率达99.5%，减少光损失2%。整合后，设备专利覆盖率达80%，从7纳米向5纳米演进，线宽缩小30%，功耗降低20%。

中芯国际上半年营收44.56亿美元，增长22%，产能利用率89.6%，资本支出73.3亿美元扩建北京上海工厂。

南华早报报道贸易紧张虽影响利润，但本土部件进步提供缓冲。清华大学稳态微聚束光源补充传统功耗瓶颈，北京航天三元计算芯片应用110纳米工艺于飞行控制，展示产业链广度。

外媒强调，中国EUV试生产计划于2025年第三季度启动，2026年量产目标明确，这将让中芯国际在物联网和人工智能应用中扩大份额。放电方案的模块化开发，先稳定光源再联调系统，缩短研发周期2至3年。

与早期依赖深紫外设备相比，国产比例提升显著，避免停产风险。Wccftech指出，华为和中芯国际合作测试简化设计，功率消耗更低，成本优势突出。新加坡投资人王国辉在彭博访谈中表示，中芯国际市值虽低，但中国市场规模和工程师资源每年500万毕业生支撑追赶。

7纳米芯片性能接近台积电5纳米，得益于海思优化，订单稳定扩展本土企业。德国之声虽提及管制质疑，但中芯股价恢复显示市场信心。金融时报突出5纳米绕封锁路径，成本虽高30%至50%，但多图案化技术精确对准误差小于0.5纳米。

长远视角下，这种光源突破奠基整机开发，国家基金支持工程师协作，推动半导体上游覆盖。摩尔线程和壁仞GPU成长虽缓，但本土替代渐成主流。华为Ascend 910C填补禁售空白，中国市场提供规模经济，政府政策吸引人才。

芯片自主化增强韧性，带动就业，缩小差距。中国用数学弥补物理缺陷，3纳米DUV激光技术已达超细水平。

芯片战持久，中国速度超预期，2025试产若成，曙光显现。中芯国际潜力大，结合光源，或实现王国辉预言。但步步推进，注重实效。

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