崴思半导体申请提高ETFE薄膜厚度一致性方法专利，制得的ETFE薄膜厚度一致

十大品牌 2025年08月16日 12:45 0 aa

金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，崴思半导体材料（苏州）有限公司申请一项名为“一种提高ETFE薄膜厚度一致性的方法”的专利，公开号CN120481240A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种提高ETFE薄膜厚度一致性的方法，涉及高分子薄膜技术领域，具体包括以下步骤：将ETFE树脂经双螺杆挤出机挤出熔融后，再经静态混合器混合，得熔体；熔体进行梯度拉伸，首先在70‑80℃下进行预拉伸，然后在80℃下进行一次拉伸，再升温至118‑122℃，进行二次拉伸，最后升温至148‑152℃下进行三次拉伸；拉伸后的薄膜经冷却定型，得ETFE薄膜。

天眼查资料显示，崴思半导体材料（苏州）有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，崴思半导体材料（苏州）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自金融界