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2025-08-17 0
在芯片领域,ASML的地位是超然的。
因为目前所有的大规模芯片制造,都是基于光刻机技术,所以光刻机是最核心、最重要的设备,而ASML是全球最强的光刻机厂商。
整个光刻机市场,ASML占了85%以上,特别是在顶级的EUV光刻机上,ASML的份额为100%,所以像台积电、三星、intel等,所有顶级晶圆厂,都依赖ASML,都要找ASML买EUV光刻机。
一旦这些厂商买不到EUV光刻机,那么芯片技术,就要被锁定在7nm无法前进了,因为7nm之下的芯片,离不开EUV。
而问题也在这里,美国不允许ASML销售EUV光刻机给中国,甚至先进的浸润式DUV都有禁令,无法随意卖给中国的一些企业。
所以,对于我们来说,基本上就很难进入7nm之下了,因为没有EUV光刻机,EUV光刻机可以说也是中美芯片战最核心的设备。
为了突破这个封锁,我们一直在努力,特别是在光刻机上,进行了各种深度突破。
从目前的情况来看,我们已经形成了三条路线,来围攻ASML,并且也取得了非常好的成绩,一旦我们突破了EUV,那么中美芯片战,就可以立即结束,没有意义了。
那么是哪三条路线呢?第一条就是上海微电子的路线,这是与ASML的路线是一样的,从DUV、到浸润式DUV,再到EUV,传统的、成熟的路线。
不过,目前这条路线,与ASML相差还较远,去年曝光的氟化氩光刻机,193nm,套刻精度小于等于8nm,还属于DUV的范畴,上面还有浸润式DUV,才到EUV,所以差距较大。
第二条路线是纳米压印,前几天璞璘科技已经官宣了,他们自主设计研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备,已经交付给客户了。
这台纳米压印设备,线宽<10nm ,能够用于储存芯片、硅基微显、硅光及先进封装等领域,这台设备,已经是量产的设备,不是PPT,不是理论上的。
第三条路线,则是EBL电子束技术,浙江大学成果转化基地孵化出来的,推出首台国产商业化电子束光刻机 “羲之”,并且它也不是PPT,不是理论上的,而是已经生产出来了。
这台EBL光刻机,精度达 0.6nm、线宽 8nm,无需掩膜版,可直接在硅晶圆上进行芯片电路图的刻录。
理论上来讲,这台纳米压印机、EBL电子束光刻机,其实是达到了EUV光刻机的精度的,因为ASML的第一代EUV光刻机,线宽是13nm的,第二代EUV光刻机,线宽是8nm。不过不管是纳米压印,还是EBL电子束,目前应该都达不到EUV的效率、性能,分辨率,生态方面也不完善,毕竟芯片制造,需要几百种设备的协调,可不是只有光刻机就行的。
但是很明显,目前国内在EUV光刻机领域,已经有3种方案了,一种是ASML的方案在稳步推进,一种是纳米压印,一种是EBL电子束技术。
任何一种技术突破,达到EUV的性能和水平,那么中国的芯片产业就再也挡不住了,中美芯片战就结束了,美国再也打压不了了。
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