中国芯片取得重大技术突破，绕开EUV光刻机，ASML彻底傻眼了

景点排名 2025年10月31日 21:15 0 aa

中国半导体行业这些年一直被EUV光刻机卡脖子，这玩意儿是ASML的独门绝技，价格高得离谱，一台顶得上好几架飞机。结果，美国那边管制出口，中国企业拿不到手，只能想别的招儿。没想到，复旦大学的研究团队在2022年底就整出了个大新闻，他们在国际期刊上发论文，搞出一种硅基和二硫化钼结合的异质互补场效应晶体管技术。

这东西简单说，就是把传统硅晶体管改造成叠层结构，不用再死盯着缩小尺寸，就能把芯片性能翻倍。团队用了标准后端工艺，把二硫化钼层叠在硅基上，形成p型和n型的互补器件。实验数据表明，这种结构在低电压下开关速度快，漏电流低，整体密度高出不少。

中国芯片制造现在主流是14纳米左右的FinFET工艺，如果套上这个CFET，就能直接跳级，性能赶上7纳米级别，够国内九成以上需求用。中芯国际那边也快把7纳米量产稳住，结合这个技术，5纳米的效果也没问题。关键是，整个过程不依赖EUV设备，只需优化现有生产线上的层间对准和材料沉积，就能行。这事儿一出，全球半导体圈都炸锅了，因为它证明了绕开EUV的路子是可走的，不用再被ASML一家垄断。

话说回来，中国这个突破不是凭空冒出来的，早几年就开始布局二维材料和三维集成。复旦团队从材料准备入手，先选高纯硅晶圆，然后用化学气相沉积长出单层二硫化钼，确保界面干净无缺陷。接着是光刻定义图案，蚀刻源漏极，再沉积栅介质。测试时用扫描电子显微镜查结构，电气测量看性能，开关闭合比高得惊人。2023年初，他们又补了数据，证明器件在高温下稳定，漏电流控制得死死的。到了2024年，专利批下来，覆盖生长和集成细节。

产业界也跟上，中芯国际评估可行性，用模拟软件预测热管理和信号延迟。结果显示，功耗降15%，速度升30%。2025年上半年，中国半导体协会开会，复旦分享经验，推动标准化。实际试产中，发现对准精度是瓶颈，就加激光干涉仪，成功率上到95%。

这套路子帮中国芯片厂省了大笔钱，不用砸数百亿换EUV生产线，就能升级。国际上，三星和英特尔代表在会议上问合作，但地缘因素挡着，只能学术交流。总之，这技术让中国在二维材料应用上站稳脚跟，供应链格局开始变。

不止中国，日本那边早几年就憋着劲儿绕EUV。铠侠从2017年跟佳能和DNP合作，搞纳米压印光刻NIL。这技术像盖章一样，直接用模板压图案到晶圆上，不用复杂的光学系统。2021年，他们解决基本问题，电路精细度到5纳米。铠侠在四日市工厂试产15纳米NAND闪存，成本比EUV低一大截，耗电只剩10%。

佳能2023年10月推出FPA-1200NZ2C设备，专为5纳米芯片设计。NIL简单，产能高，不需昂贵光源和透镜。铠侠计划2025年推5纳米产品，DNP提供模板支持。相比EUV的巨额投资，NIL让小厂也能玩得转。日本这步棋下得巧，存储芯片市场份额稳住，还能出口设备。全球看，这证明EUV不是唯一出路，技术多样化是大势。

美国自己也开始甩开EUV，美光科技2022年11月启动1β工艺，专为DRAM内存设计。用DUV深紫外多重曝光，加上先进材料，密度升35%，能效提15%。他们绕过EUV，因为那玩意儿太贵，维护复杂。美光说，1β让现有设备继续发光，降低成本。三星和海力士还得靠EUV，美光这招异曲同工，跟中国叠层思路类似。结果，样片送测，性能稳。

Zyvex Labs那边更狠，2022年9月推出ZyvexLitho1电子束光刻系统，分辨率0.768纳米，相当于两个硅原子宽。用氢去钝化技术，直接在硅表面去氢原子图案化。虽不适合大批量，但量子器件和原型研发超准，突破1纳米极限。Zyvex接受订单，6个月交货。NIST介绍，电子束允许精细控制，放置精度1纳米，图案区1毫米。这让EUV的1纳米墙看起来不那么牢。美国这些动作，表面上管制中国，实际企业为省钱也找替代。

中芯国际进展也快，2025年计划投60亿美元扩先进工艺。7纳米N+1风险量产，性能比14纳米提20%，功耗降57%，面积缩63%。良率突破后，稼动率到90%。AI芯片本土化趋势下，中芯抓机会，成熟工艺如28纳米占比大，市场稳。2025年第三季度，自产EUV试产，协同攻坚松山湖基地。哈工大13.5纳米极紫外光源搞定，芯片战转折点。0.6纳米电子束光刻机线宽8纳米，适合调试。两个方案并行，先进芯片制造有底气。