光迅科技申请一种薄膜铌酸锂起偏器及其制作方法专利，实现输入的激光信号中TM与TE分量的分离

今日快讯 2025年08月02日 15:56 3 admin

金融界2025年7月30日消息，国家知识产权局信息显示，武汉光迅科技股份有限公司、湖北光谷实验室申请一项名为“一种薄膜铌酸锂起偏器及其制作方法”的专利，公开号CN120386063A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本发明涉及光通信技术领域，特别是涉及一种薄膜铌酸锂起偏器及其制作方法，包括基底层、光波导层和上包层；光波导层包括光输入口、光输出口、平板层和脊波导层，脊波导层设置在平板层上；脊波导层包括至少一个传输波导段，传输波导段两端对称连接有连接波导段；传输波导段用于过滤激光信号中TM模式的光，将激光信号中TE模式的光通过另一段连接波导段以及光输出口进行输出，实现了输入的激光信号中TM分量与TE分量的分离，得到纯TE光，从而达到起偏的效果。同时，采用薄膜铌酸锂平台便于减小器件尺寸，有利于器件的集成化和芯片的小型化；采用标准半导体工艺，工艺技术成熟，可以有效降低成本，提升器件的批量生产能力。

本文源自金融界