全球第一！中国又一家芯片牛企硬核出世

排行榜 2025年10月01日 04:17 1 admin

一家成立不到十年的中国芯片公司，竟然在细分领域做到了世界第一，市场份额高达42.4%，甚至被英伟达选为合作伙伴。

近日，全球知名信用评级机构穆迪发布报告称，亚洲生产了全球75%的芯片，芯片制造中心已转移到亚洲。

其中，中国大陆的芯片产能增长尤为迅速，到2025年将占全球21.3%，较2022年的18.2%大幅提升。

而在这股中国芯片产业崛起的浪潮中，一家名为英诺赛科的企业脱颖而出，在全球氮化镓功率半导体市场份额高达42.4%，排名世界第一。

01 脱颖而出：站上世界顶级舞台

AI的迅猛发展正带来一系列的用电挑战与变革。科技巨头们忙着制定新的游戏规则，以满足爆发式增长的算力需求。

英伟达决定引领数据中心电力系统的换代，从54V直流架构升级到800V高压直流架构，目标在2027年全面部署。

8月1日，英伟达公布了800V直流电源架构合作伙伴名录，7家企业入选了芯片供应商名单，其中有美国老牌芯片大厂德州仪器，日本知名半导体制造商罗姆，德国汽车芯片巨头英飞凌等业界巨头。

而最年轻的企业，是来自中国的半导体厂商英诺赛科。

三天后，英诺赛科在官网发文确认，“本公司第三代氮化镓GaN芯片具备高频、高效率与高功率密度等特性，为英伟达800VDC架构提供从800V输入到GPU终端，覆盖15V到1200V的全链路氮化镓电源解决方案。”

这意味着，这家中国芯片企业正式站到了AI舞台的中央，与国际大厂并肩推动技术革命。

02 核心技术：氮化镓芯片，游戏规则的改变者

材料直接决定着芯片的成本、效率和性能。自1950年代芯片发明至今，先后出现了三代芯片材料。

氮化镓作为第三代半导体材料的代表，被誉为“半导体游戏规则的改变者”。与传统硅芯片相比，氮化镓芯片具有高功率、低能耗、体积小三大特点。

以迫切需要提升能效的AI数据中心为例，应用氮化镓芯片，可使单机房算力密度提升10倍以上。

这对于面临“能耗墙”的AI产业来说，无疑是突破性的解决方案。

英诺赛科创始人骆薇薇是一位美籍华人芯片专家，她曾在NASA工作15年，从项目经理一路做到首席科学家。

2014年，美国纳微半导体成为全球首个推出氮化镓功率芯片的公司，全球氮化镓材料芯片的研发与应用加速。

一直关心着中国芯片发展的骆薇薇认为，这是中国实现芯片赶超的机会，于是决定回国创业。

03 创业维艰：选择最艰难的路

2015年12月，骆薇薇回国创业，在珠海高新区成立英诺赛科。得知消息的朋友，也曾劝她，“氮化镓的坑太深了，不熬八、九年别想量产。”

但骆薇薇认为，困难是可以克服的，而且难才更显意义。“在NASA的工作经历让我积累了勇气，再难的事，也敢做可行性分解，按逻辑一步一步去完成。”

非但如此，她还一开始就选择了最困难的方式。

在台积电张忠谋将芯片产业的设计制造分开后，芯片创业公司大都选择了资产门槛更低、更易聚焦的設計路线，而将制造交给台积电、中芯国际等专业大厂。

但骆薇薇和创始团队却选择了IDM全产业链模式，把设计、制造、销售都掌握在自己手里。

这么选的理由是，只有有了自主可控的生产线，才能解决氮化镓芯片大规模推广的三大痛点：价格、量产和供应链保障。

更有挑战性的是，他们决定直接制造领先业界的8英寸晶圆，而不是当时市场主流的6英寸晶圆。

相比6英寸，8英寸晶圆能多产出80%的晶粒，降低30%的成本，但每扩大一英寸，难度都呈指数级上升。

创业头两年，骆薇薇就像是“救火队长”，带领团队四处突围，买不到欧美卡脖子的设备，就想方设法找旧机器，年轻工程师没经验，就驻守车间一遍一遍地教。

04 突破瓶颈：中国首条8英寸硅基氮化镓生产线

功夫不负有心人。英诺赛科最终克服一系列困难，攻下了两大核心技术：一是突破了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电晶圆制造等世界级挑战，成功掌握了8英寸硅基氮化镓外延技术；

二是开发出8英寸硅基氮化镓器件制造工艺流程。

2017年11月，英诺赛科建成了中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片生产线，于无声处响了一记惊雷，受到了行业内外的关注。

随后，英诺赛科入驻江苏苏州汾湖新型半导体产业园，开建被列为江苏省重点项目、投资总额高达80亿元的第三代半导体基地。

2020年夏天，英诺赛科的8英寸芯片生产线迎来重大突破，产品良率达到92%。

那天，一身油污工服的骆薇薇跟工程师团队一起欢呼胜利。

2021年6月，英诺赛科（苏州）半导体公司举行了量产暨研发楼奠基仪式，标志着全球最大的氮化镓生产基地正式投产。

历经6年艰辛研发，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓终于开启了大规模量产的阶段。

05 广泛应用：从手机快充到新能源汽车

随着量产的实现，英诺赛科得以大展拳脚。一位强援的加盟更是如虎添翼——中芯国际技术研发副总裁吴金刚博士选择加入英诺赛科担任CEO。

吴博士在中芯国际任职20年，是先进工艺制程业务的核心管理者。能让他放弃千万股权激励离职，很多人猜测下家可能是华为，但没想到是英诺赛科。

打动吴博士的不是企业的规模，而是一个有更大想象力的未来。

骆薇薇曾表示，“氮化镓技术将重塑AI算力、新能源汽车、机器人等未来产业的赛道。”

在消费电子领域，氮化镓技术带来的改变已经显现。

2021年10月，英诺赛科自主研发的双向导通产品VGaN率先导入OPPO手机，成为世界第一款导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片。

随后，智能充电品牌安克也采用了英诺赛科的氮化镓芯片，两家共同发布了全球首款65W全氮化镓快充，携手把手机快充设备推进到“氮化镓时代”。

与手机快充一同快速发展的，还有英诺赛科的汽车电子业务。

2022-2023年，其多款车载充电器、激光雷达电源芯片产品获得了AEC-Q101车规级认证。

在英诺赛科的C轮融资中，宁德时代董事长曾毓群以个人名义投资了2个亿，英诺赛科也收获了宁德时代这个重要的客户，为其锂电池相关设备提供电源模组。

06 全球领先：市场份额与专利双丰收

2023年，不断获得头部客户的英诺赛科，营收突破5亿达5.93亿元。截至当年8月，其氮化镓芯片出货量突破3亿颗，实现了消费和工业级产品的大批量交付。

一跃成为全球消费类领域最大的氮化镓供应商，市场份额高达42.4%。

如此业绩，也让英诺赛科遭到国外同行阻击。

2023年5月，美国氮化镓巨头宜普就向联邦法院和美国国际贸易委员会指控英诺赛科专利侵权，意欲禁止其产品出口美国。

但英诺赛科的700+项技术专利，瓦解了对方的进攻，取得了专利案的胜利。

打赢专利官司的另一边，英诺赛科不断加快走向全球市场的速度，在硅谷、首尔、比利时等地设立了子公司和研发中心。

骆薇薇常对海外团队说，要让世界相信“中国芯”。

技术出身的她，也会变成“推销”高手给同事们支招：“你们除了聊参数、技术之外，也要直观地告诉客户，用我们的芯片，能让您的新能源车多跑50公里，数据中心的能耗降低20%。”

07 未来可期：中国芯片产业崛起中的生力军

英诺赛科的崛起并非孤例。据穆迪报告，到2025年，中国大陆的芯片总产能就会达到22.3%，成为全球第一。

而到2030年时，中国大陆的总产能将超过30%。

如果将中国台湾和中国大陆合计，则整个中国将占到全球43%的比例，也就是近一半的芯片是在中国制造的。

中国大陆的芯片产业之所以能如此快速发展，其优势在于完善的供应链，足够多的优质的、熟练的劳动力资源，还有生态系统高度整合水平，这些最终都会产生巨大的成本优势。

相对应的，在美国造芯，比在台湾省造芯高出50%的成本，而在台湾省造芯，又比中国大陆高出10-20%，所以中国大陆才是最有优势的。

据咨询机构调研，随着AI数据中心、新能源汽车、机器人的迅猛发展，对第三代半导体芯片的需求也将越来越大。

除了氮化镓，同属第三代芯片材料的碳化硅也在快速增长，其2030年的市场规模将达到150亿美元。

据业内专家预测，氮化镓芯片市场将在两到三年内达到数十亿美元的规模，并在未来十年内达到约数百亿美元。

8月28日，英诺赛科发布了2025年的半年报，营收5.53亿元，比去年同期增长43.4%，毛利率由负转正为6.8%，还与头部客户全球首次实现搭载氮化镓芯片的机器人量产出货。

骆薇薇的征程也刚到中途，她的目标是：“做第三代芯片的台积电、英伟达，不是羡慕人家的规模，而是技术上的话语权。”

这家年轻的中国芯片企业，正以技术硬实力，在全球半导体市场掀起波澜。

随着AI、新能源汽车等产业的快速发展，对第三代半导体芯片的需求将持续爆发。英诺赛科的崛起，正是中国芯片产业在全球竞争中突围的缩影。

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